智融SW630X移动电源PCB 设计指南

四层板设计：第一层（顶层）用于走线和地；第二层（内层）为走线和电源层；第三层（内层）是完整的地层（可能有模拟地和数字地）；第四层（底层）用于走线和地。第二层和第三层可根据主要元件的布局层面确定，其紧邻层为地。

元件布局
电源部分：将 SW630X 芯片与功率电感尽可能放在 PCB 的同一边，且电感要靠近芯片的 SW 脚，走线宽度不小于 0.6mm。电源输入端的滤波电容建议采用钽电容，如 4.7μF 或 10μF，或使用 ESR 值低的电容；功率电感输出端需连接 0.1μF 和 10μF 的电容，且这些电容要尽可能靠近芯片输出端，距离不超过 4mm，0.1μF 的退耦电容最好放在 10μF 电容的前面。

SW630X_PCB 设计指南：
H 桥开关 NMOS 的摆放：

(1) H 桥功率 MOS 管和电感为主要发热器件，适当远离芯片，要加强散热，建议 Q1~Q4 开关 MOS 管摆放在同一侧，摆放建议如上图，SW1、SW2 面积尽量小，以减少辐射；
(2) 开关 MOS 下管 MOS（Q4、Q2）接地要良好，保持足够的地线，靠近管脚要多打些过孔，让开关回路阻抗尽量的少，这样可以提高效率及减少 EMI 辐射，让芯片工作可靠稳定；
(3) 4 根 GATE 驱动串联的电阻，建议靠近 MOS 端摆放，走线建议 0.25mm（10mil）线宽以上，尽量避开电感位置走线，实在避不开的需要用中间层完整地线隔开；
(4) H 桥开关 MOS 和电感位置下层需要有完整的地线层，保持完整的地线屏蔽层；
(5) SW1、SW2 反馈线靠近下管 MOS 管脚取样（Q4、Q2），否则影响尖峰电流采样精度，
见下图：

输入输出滤波电容摆放：

(1) 输入输出瓷片电容及固态电容 GND 端优先靠近功率下管的 GND 连接，路径尽可能短。

电流采样电阻注意事项：
(1) 电流采样电阻上的引线须采用开尔文接法，从电阻焊盘向里拉出，单独引线 CAP_VBAT、CAN_VBAT 引脚，中间不要引线到其它地方，同样 VBUS 端采样电阻通过电阻直接引线到 CAP_VBUS、CSN_VBUS 引脚，线宽为 8mil 或 10mil 即可，与采样电阻并联的 0.1uF电容靠近采样电阻摆放，采样线尽量用地线包裹，避免受到干扰，如下图:地线

吸收 RC 电路的摆放：(1) SW1、SW2 吸收电路 RC(建议 4.7R、1nF)，尽量靠近 SW 反馈线放置，布局注意减少 SW到地的环路面积，如果不过认证，可以 NC，减少元件减低 BOM 成本及提高电路效率。
1、每个通路 MOS 的反馈线复用端口负载电流采样功能，走线不好会导致不能轻载关闭输出，如 C1 口 VBUSC1、VOUTC1 必须从通路 MOS 引脚取样，平行单独到对应的芯片 PIN 脚，平行走线，避开干扰信号，特别是 VOUTC 因跟其它端口同网络，各通路 MOS 到芯片 PIN 脚采样线必须对应独立分开，如上图;
2、VBUSC、VBUSA 等端口网络线还有设备插入触发开机检测的功能，需要避开 SW、I2C 的SCK 等时钟线的强干扰，避免误触发。
DPDM 的走线注意事项：
每个通路的 DPDM 信号线因默认开启了 DM 触发开机的功能，且灵敏度极高，走线的时候需要避开 SW，I2C 的 SCK 等脉冲干扰信号，避免误触发。其它 PIN 脚走线注意事项
(1) VCC、VDRV、COMP1、COMP2 电容尽量靠近芯片摆放，电容地端放过孔加强与芯片 EPAD的连接，降低干扰，让芯片稳定工作；
(2) VBUS、SW1、SW2、BAT+、GND 为功率走线，走线尽量宽，最好铺铜，宽度不小于 80mil；SW 的走线要尽可能短，尽量不要换层，大电流网络走线换层时至少 12 个过孔，尽量多打过孔，但要同时考虑底层地的完整性，方便散热；
(3) 过孔的数量根据换层时过电流大小、散热 PAD 的大小而定。VBUS、SW1、SW2、BAT+、GND 换层时推荐打 12 个以上过孔，其他空余空间建议多打过孔，加强底层与顶层的连接，帮助散热；
(4) 一般信号走线（不走大电流）建议线宽 0.2mm（8mil）或 0.25mm（10mil），芯片 HD1、LD1、SW1、HD2、LD2、SW2 引脚到功率元件至少保持 0.25mm（10mil）以上的宽度；
(5) 由于电感所处信号翻转频率较高，容易影响其他信号线，所以电感底部尽量不走线，确实要走线，也用中间层地线隔离，走第三层或第四层；
(6) VBUS、VBAT 的退耦电容靠近芯片摆放，电容端打孔跟芯片 EPAD 地加强连接，见下图：

SW630X 器件选型